トータルドーズ効果(Total Ionizing Dose Effect)とは,半導体が放射線の長期間の多量入射によって引き起こされる電離作用によって徐々に劣化し,その蓄積で恒久的に性能低下を招く現象のことです.主に半導体表面に形成される酸化膜に多量のガンマ線が照射された場合に発生します.実際の性能低下としては,トランジスタのリーク電流の増大,動作周波数の低下などとして現れます.