MOS トランジスタのゲートを開放した構造で,どこにも電気的に接続されていないゲートをフローティング・ゲートと呼び,主にROM の構造として使用されます(図 1).

メモリ・セルにデータを書き込む場合は,高い電圧で電子をゲートに注入します.フローティング・ゲートは周囲から電気的に浮いているので,注入された電荷はどこにも逃げられず,電源を切ってもデータは消えません.フローティング・ゲートを利用するEPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)では,紫外線の照射によって電子を励起させ,ゲートの絶縁膜を通過できるようにすることでデータを消去します.