MOSFETの構造の一つです.FinFETはカリフォルニア大学バークレー校で提案された,ゲートを形成するFinの付いたマルチチャネルFETという意味で,Tri-Gateは,インテル社の提案した3つのゲートを持つ新しいFETを指します.これらは実質同じ構造のマルチゲートFETと言えます.立体方向の利用が進むことによる集積密度の向上,リーク電流低減による低消費電力化,そして動作周波数の向上が図れるとされています.インテル社ではTri-GateをIvy BridgeのCPUやAtomなどで既に採用しています.またアルテラ社のStratix10シリーズも14nmのTri-Gateを採用し,高集積密度,高速性能,と高い電力効率を実現しています.